抗单粒子翻转的加固方法  被引量:5

Radiation Hardened Measurement of Resistance to SEU

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作  者:杨菊瑾[1] 刘义凯[1] 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032

出  处:《微处理机》2013年第5期4-5,共2页Microprocessors

摘  要:集成电路受空间粒子辐射容易产生软故障。通过三模冗余、时间冗余和错误检测与纠正等电路结构设计加固方法可对其进行改善,有效增强其抗单粒子翻转的性能,有效防止因辐射产生的软故障。Space particle radiation will cause soft fault in integrated circuit.By radiation hardened for circuit structure design such as TMR,time redundancy,EDAC,etc.,it can effectively enhance the resistance of SEU and prevent soft faults caused by radiation.

关 键 词:单粒子翻转 时间冗余 加固设计 

分 类 号:TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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