腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用  

808nm GaAs/AlGaAs Laser Diode Bar with Current Non-Injection Areas Near the Facets

作　　者：刘斌[1] 刘媛媛[2] 

机构地区：[1]证据科学教育部重点实验室(中国政法大学),北京100088 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《激光与光电子学进展》2013年第11期142-144,共3页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：北京市教委与在京中央高校共建项目;中国政法大学青年教师创新团队资助项目;证据科学教育部重点实验室(中国政法大学)开放基金(2011KFKT04;2012KFKT08)

摘　　要：在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25\mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100\mm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD阈值功率为30W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效。After He ion implantation, p-GaAs will obtain higher resistivity than before. To improve the catastrophic optical damage （COD） level of 808 nm GaAs/AIGaAs laser diode bar, about 25 μm-long current non-injection areas are introduced near both facets by He ion implantation. The COD level of a conventional 1 cm laser diode bar with 19 emitters is 30W, while the He ion implantation 1 cm laser diode bar exhibits no COD failure at 42.7 W.

关 键 词：激光器 GAAS ALGAAS 激光二极管列阵 腔面非注入区 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]