生成β-C_3N_4的热力学与化学动力学计算  

THERMODYNAMIC AND CHEMICAL DYNAMIC CALCULATION OF β-C_3N_4 FILM GROWTH

作　　者：史兴键[1] 姚合宝[1] 贺庆丽[1] 王文秀[2] 汪颖梅[2] 何大韧[2] 

机构地区：[1]西北大学物理学系,陕西西安710069 [2]扬州大学理学院物理学系,江苏扬州225002

出　　处：《扬州大学学报（自然科学版）》2000年第4期7-10,共4页Journal of Yangzhou University：Natural Science Edition

基　　金：陕西省自然科学基金资助项目

摘　　要：提出了磁控溅射法合成碳化氮实验中 β C3N4 ,P C3N4 ,— ( C2 N2 ) n— 3种结构的最可能生长模式 ,采用化学热力学方法计算了生成这 3种结构的反应在不同温度下的平衡常数 ,并用化学动力学方法计算了各中间产物和β C3N4 ,P C3N4 ,— ( C2 N2 ) n—的化学反应速率常数 .这些结论对β C3N4 晶体生长于非晶相中这一普遍实验现象给予一种可能的解释 .This paper suggests a growth model of β C 3N 4, PC 3N 4 and —(C 2N 2) n — via magnetron sputtering and calculates the equilibrium constant of the reactions producing β C 3N 4, PC 3N 4 and —(C 2N 2) n —. The rates of the reactions for fabricating β C 3N 4, PC 3N 4 and some middle products have been calculated. A possible explanation to the fact that there is usually microcrystalline β C 3N 4 bed in amorphous phases on the substrate is made based on these calculations.

关 键 词：磁控溅射法 碳化氮薄膜 化学热力学 平衡常数 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O642.1[理学—物理]