ICP-AES测定硅单晶中杂质铬、铜、锰、铝、镉、钼  

Determination of Al, Cu, Cd, Cr, Mn, Mo in Silicon Single Crystal by ICP-AES

作　　者：王春梅[1] 张淑珍[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第46研究所,天津300192

出　　处：《现代仪器》2000年第6期25-26,共2页Modern Instruments

摘　　要：本文采用电感耦合等离子体发射光谱对硅单晶材料中6种金属杂质的分析进行了研究。研究了基体硅对分析元素的干扰影响及校正。采用压力溶样器制各样品,并在低温进行杂质富集,采用ICP-AEC对杂质进行了分析,回收率在90％～105％之间。A method for determination of 6 kinds of metal impurities in silicon single crystal by ICP-AES is developed . About 2000μg/mL silicon would have background effect on analyzed elements and this effect should be deducted by background correction.

关 键 词：硅单晶 发射光谱 杂质 ICP-AES 测定 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O657.31[理学—分析化学]