STM图像的理论模拟  

THEORETICAL SIMULATION OF SCANNING TUNNELING MICROSCOPE IMAGE

作　　者：李群祥[1] 杨金龙[1] 赵瑾[1] 侯建国[1] 朱清时[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学选键化学开放实验室,合肥230026

出　　处：《物理学进展》2000年第3期234-242,共9页Progress In Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：本文简要综述了STM基本理论和模拟方法 ,着重介绍了我们的一些工作 ,构造团簇模型和采用第一性原理方法 (DV LDF) ,模拟出不同取向C60 和它吸附在金属和半导体表面的STM图像 。We give the brief review of the basic theory of STM and several methods for theoretical simulation of STM image. The STM image of isolated C 60 and it adsorbed on semiconductor and metal surfaces with different orientations are simulated using the first?principles method(DV?LDF) with typical cluster models. The simulated images reproduce the main features of the observed images in STM experiments.

关 键 词：STM图像 模拟 吸附取向 碳60 

分 类 号：TN16[电子电信—物理电子学] O613.71[理学—无机化学]