微波半导体器件及电路的应用概况(续二)  

作　　者：莫火石[1] 盛柏桢[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第55所,南京210016

出　　处：《电子元器件应用》2000年第12期1-2,26,共3页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。

关 键 词：微波器件 半导体器件 半导体电路 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]