用Coulomb爆炸实测~4HeD^+的键长  被引量:1

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作  者:缪竞威[1] 杨百方[1] 师勉恭[1] 唐阿友[1] 许祖润[1] N.Cue 

机构地区:[1]四川大学原子核科学技术研究所,成都610064 [2]香港科技大学物理系

出  处:《中国科学(A辑)》2000年第12期1124-1129,共6页Science in China(Series A)

基  金:国家自然科学基金!(批准号 :19735 0 0 4;195 75 0 33);国家教育部重点科技项目基金!(批准号 :1997[12 9])资助项目

摘  要:用 1 46 8 0MeV4HeD+ 在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸 ,获得4HeD+ 的键长实测值为 (0 0 97± 0 0 0 3)nm .讨论了4HeD+ 的形成机理 .介绍了 4HeD+ 原始束中D+ 3 污染的降低 ,及产物4He+ + 和D+ 高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等 .

关 键 词:^4HeD^+ 微团簇 键长 核间距 Coulomb爆炸 实测 

分 类 号:O571[理学—粒子物理与原子核物理]

 

参考文献:

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