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作 者:刘深娜[1] 杨阳[1] 陈棽[1] 林珩[1] 陈国良[1]
机构地区:[1]闽南师范大学化学与环境科学系,福建漳州363000
出 处:《应用化工》2013年第12期2194-2197,共4页Applied Chemical Industry
基 金:福建省科技厅高校产学研重大项目(2010H6029);福建省教育厅科技项目(JA10208);漳州市科技计划项目
摘 要:研究添加剂对电沉积的作用机理及添加剂用量对镀层结构的影响,有利于开发一种更好效果的添加剂。为了获得良好的镀层,硫脲及其衍生物作为添加剂已经广泛应用于电镀工业中,脒基硫脲(GTU)作为电镀添加剂,采用循环伏安法(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)技术,考察GTU在酸性溶液中对铜沉积机理的影响。CV结果表明,脒基硫脲对铜电沉积有抑制作用;QCM分析表明,当镀液中含有GTU时,铜阴极沉积和阳极溶出过程的M/n分别为61.50,64.12 g/mol,表明电极反应过程中,Pt/Cu电极表面的铜离子沉积从二电子过程过渡到单电子过程,添加剂的最佳浓度为10 mmol/L。To study the influence of additive on the mechanism of copper electrodeposmon ana the mor phological characteristics, can help to find a better effect of the additive. Thiourea has been widely used in industry,the effect of guanyl thiourea (GTU) on the electrodeposition of copper in aqueous sulfuric acid by combining cyclic voltammetry (CV) with electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM) studies. C Results show that guanyl thiourea (GTU) has inhibitory effect on copper electrodeposition; the QCM design software, copper cathode deposition and anodic stripping process M/n are 61. 50, 64.12 g/mol,respectively, it shows that the copper dissolution-deposition process of the solution containing GTU corresponds to a one-electron transfer reaction, the optimal concentration of additives for 10 mmol/L.
关 键 词:脒基硫脲 铜 电沉积 电化学石英晶体微天平
分 类 号:TQ153.19[化学工程—电化学工业]
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