He-AlH复合物体系的相互作用势能面  

Interaction Potential of He-AlH Complex System

作　　者：庞礼军[1] 汪荣凯[2] 王义[1] 

机构地区：[1]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001 [2]贵州师范大学化学与材料科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《广西师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期6-10,共5页Journal of Guangxi Normal University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61262007);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2013]2211号);贵州省教育厅自然科学研究项目(20090147);贵州省科技厅与贵州师范大学联合基金资助项目(黔科合J字LKS[2009]01;LKS[2010]06)

摘　　要：采用耦合簇理论CCSD(T)方法,使用相关一致基组aug-cc-pV5Z,并加键函数3s3p2d1f1g构成大基组,经过ab initio计算,得到He-AlH体系的相互作用势,并拟合出相互作用势的函数解析形式。计算结果表明:He-AlH势能面存在2个势阱:全域极小的势阱在Rmin=0.365 1 nm,H=67.4°处,阱深为-28.851 9 cm-1;较浅的势阱在Rmin=0.499 2 nm处,阱深仅为-6.306 5 cm-1,对应于线性He-AlH构型。The intermolecular potential energy surface for He-AlH complex has been calculated by supermolecule method,calculation method of ab initio and CCSD（T） approach with a large basis set containing the correlation-consistent basis set aug-cc-pV5Z and the bond function set 3s3p2d1f1g.The potential energy surface has two potential well.The deeper potential well corresponds to the linear configuration of He-AlH,and Rmin is 0.365 1 nm,the angle θ is 67.4°,Vmin is-28.851 9 cm-1.The shallower potential well corresponds to the linear configuration of He-Al-H,and Rmin is 0.499 2 nm,Vmin is-6.306 5 cm-1.

关 键 词：耦合簇CCSD(T)方法 He—AlH复合物 相互作用势 基组aug—cc-pV5Z ab initio计算 

分 类 号：O561[理学—原子与分子物理]