一种低功耗高线性度AB类跨导放大器  

A Low Power High Linearity Class AB Transconductor

作　　者：程序[1] 郭桂良[1] 阎跃鹏[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室,北京100029

出　　处：《微电子学与计算机》2013年第12期133-136,141,共5页Microelectronics & Computer

基　　金：科技部国家科技重大专项"核心电子器件;高端通用芯片及基础软件产品"资助项目(2009ZX01031-002-008-002)

摘　　要：摘要i提出了一个基于动态源级负反馈和交叉耦合后失真调谐的可调谐跨导放大器单元（Gin），并采用此Gm单元搭建了3阶Gm-C滤波器来验证此Gm的性能．仿真结果表明，所设计的Gm单元的大信号恒定跨导U，范围超过600mV，在工艺角、电源电压、温度等变化时，滤波器-3dB截止频率均可调谐到10MHz，调谐范围为9～26．4MHz，在10MHz频点等效输入噪声为39nV，带内IIP3维持在16dBm以上，功耗电流小于1．7mA．This paper presents a tunable transconductor（Gm） cell, which is based on dynamic source degeneration and cross coupling technique, and builds a 3rd order Gm-C filter to prove the validity of this Gm cell. Simulation results reveal that, the Gm cell owns a constant transconduetance（V~,p） range of around 600 mV and the Gm--C filter has a tunable --3 dB cutoff frequency from 9 MHz to 26.4 MHz, equivalent input referred noise of 39 nV@10 MHz, in--band IIP3 higher than 16 dBm and a total power consumption less than 1.7 mA over all variations of process corners, supply voltage and temperature.

关 键 词：GM-C滤波器 源级负反馈 交叉耦合 CMOS工艺 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]