铌酸锂晶体中本征缺陷的模拟计算  

作　　者：贺祥珂[1,2] 高翠玲[1,2] 邴欣[1,2] 陈淑祥[1,2] 袁浡[1,2] 王恬[1,2] 马保民[1,2] 韩智峰[1,2] 于洋[1,2] 

机构地区：[1]山东省产品质量监督检验研究院,山东济南250102 [2]山东省材料化学与安全检测技术重点实验室,山东济南250102

出　　处：《科技创新导报》2013年第24期207-208,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反应进行了讨论。结果表明,LN晶体中最容易形成(++4VLi-+Nb4+Li)缺陷,且这两类点缺陷倾向于以缺陷簇的形式存在。与此同时,LN晶体中还可能形成(2VLi-+V2+O)缺陷。

关 键 词：铌酸锂 本征缺陷 GULP 模拟计算 

分 类 号：O74[理学—晶体学]