X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟  

Monte Carlo Simulation of Dose Enhancement Effect Produced by X-ray Irradiation for Organic Semiconductor Device

作　　者：张建芳[1] 

机构地区：[1]内蒙古民族大学物理与电子信息学院,内蒙古通辽028043

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第6期514-517,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11265009);内蒙古民族大学科学研究基金资助项目(NMD1218)

摘　　要：用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每种结构在界面下所产生的最大剂量增强系数及引起剂量增强的X射线的能量范围。Monte Carlo method is used to calculate dose enhancement effect at the metal-CuPc interface of organic semiconductor, with the package materials of gold and ceramic and the metal-lization layers of gold and aluminum. The results show that when the combination of packaging and metallization layers varies, the interface dose enhancement changes in different degrees. Fi-nally,the maximum dose enhancement factor of each structure at the interface and a dose-en-hanced X-ray energy range are discussed.

关 键 词：蒙特卡罗方法 X射线 封装材料 剂量增强系数 界面 

分 类 号：O434.1[机械工程—光学工程] TN305[理学—光学]