在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究  

Growth and properties study of ZnO thin films on various substrates

作　　者：何建廷[1] 魏芹芹[1] 杨淑连[1] 李田泽[1] 

机构地区：[1]山东理工大学电气与电子工程学院,山东淄博255049

出　　处：《电子元件与材料》2014年第1期12-14,共3页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.90301002)

摘　　要：在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)分别在n-Si(111)、蓝宝石(001)和非晶石英衬底上生长了ZnO薄膜。首先对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,找出在三种不同衬底上制得的结晶质量最好的ZnO薄膜所对应的最佳衬底温度。然后对最佳衬底温度下得到的ZnO薄膜分别进行了X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)分析。结果表明,在硅衬底上生长的ZnO薄膜XRD谱半高宽最小,PL谱特征发光峰强度最强,AFM下的平均粒径最大,说明硅衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最好,而在石英衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最差。ZnO thin films were respectively deposited on n-Si （111）, sapphire （001） and amorphous quartz substmte at various substmte temperatures by pulsed laser deposition （PLD） respectivery. First, X-ray diffraction （XRD） was used to find the substmte temperature for preparation of ZnO thin films with the best crystallization quality on the three substrates separately. Then, ZnO thin films deposited on various substrates at the optimal substrate temperature were analyzed by X-ray diffraction （XRD）, photolumineseence （PL） and atomic force microscopy （AFM）. The results show that ZnO thin film grown on n-Si（111） possesses the best crystal quality owing to its full wave at half maximum （FWHM） of XRD the smallest, characteristic peak of PL the strongest and average grain size in AFM the largest; and that grown on amorphous quartz possesses the worst crystal quality.

关 键 词：ZNO薄膜 衬底 脉冲激光沉积 XRD PL AFM 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]