Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究  

作　　者：张林涛[1] 任天令[1] 张武全 刘理天[1] 李志坚[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《真空科学与技术》2000年第6期394-396,共3页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (6 980 6 0 0 7)

摘　　要：介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。

关 键 词：溶胶-凝胶法 锆钛酸铅 硅基铁电薄膜 制备工艺 

分 类 号：TB43[一般工业技术] TM223[一般工业技术—材料科学与工程]