等离子体刻蚀的数学模型  

Theoretical Models Used in Plasma Etching Studies

作　　者：黄光周[1] 周亮笛[1] 于继荣[1] 杨英杰[1] 郝尧 

机构地区：[1]华南理工大学电子与通信工程系,广州510640

出　　处：《真空科学与技术》2000年第6期419-422,共4页Vacuum Science and Technology

基　　金：西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室;国家自然科学基金! (6 97710 15 )

摘　　要：介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。Various existing theoretical models developed to simulate plasma etching,including physical models,surface models,and neural network models were reviewed.The advantages and disadvantages of these theoretical models were briefly discussed.

关 键 词：数学模型 等离子体刻蚀 物理模型 集成电路制造 

分 类 号：TN405.982[电子电信—微电子学与固体电子学]