SiC纳米晶须的制备及TEM观察  

作　　者：戴长虹[1] 蔺玉胜[1] 

机构地区：[1]青岛化工学院电子显微镜实验室,青岛

出　　处：《材料导报》2000年第Z10期341-342,共2页Materials Reports

摘　　要：以ＳｉＯ２纳米粉和自制的树脂热解炭作原料，采用双重加热这一新技术在较低的合成温度下、较短的合成时间内制备了直径在１０～３０ｎｍ范围内、长径比在３０～１００之间、产率达８０％的ＳｉＣ纳米晶须，并用透射电子显微镜对ＳｉＣ纳米晶须的显微形貌进行了观察研究，分析了合成温度和时间对ＳｉＣ纳米晶须显微形貌的影响关系。

关 键 词：SIC TEM 纳米晶须 纳米陶瓷 双重加热 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TB383[化学工程—硅酸盐工业]