电子材料  

出　　处：《新材料产业》2014年第1期76-79,共4页Advanced Materials Industry

摘　　要：日本低阻值n-AIGaN，电光转换效率提升15％ 日本名城大学和名古屋火学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝镓（n—AIGaN）。通过将n—A1GaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率（wall-plugefficiency）提升了15％左右。这种低阻值的n—A1GaN采用MOVPE在蓝宝石上制作，外延生长先采用低温缓冲层，然后是3um的随机掺杂GaN层。甲硅烷作为氮化铝镓低阻值层的硅掺杂源。

关 键 词：电子材料 电光转换效率 研究人员 MOVPE 低温缓冲层 低阻值 外延生长 氮化铝 

分 类 号：F416.63[经济管理—产业经济]