深度沉积SiC工艺研究  

In-Depth Deposition of SiC

作　　者：刘文川[1] 孙守金[1] 李敏君[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所

出　　处：《高技术通讯》1991年第5期14-16,共3页Chinese High Technology Letters

关 键 词：SIC 复合材料 航天飞机 深度沉积 

分 类 号：V258.3[一般工业技术—材料科学与工程]