半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究  

Preparation of Semiconductor Nanowires by Dry Etching Technique

作　　者：郭栋[1] 邹继军[1] 邹坤 

机构地区：[1]东华理工大学,江西南昌330013 [2]沈阳东基工业集体有限公司,辽宁沈阳110000

出　　处：《电子质量》2014年第1期20-21,共2页Electronics Quality

摘　　要：近年来,一维纳米结构:纳米管、纳米线、纳米带等,引起了人们的广泛关注。如何制备高质量的纳米结构依然是我们面临的巨大挑战。该文通过干法刻蚀技术制备的纳米线阵列来突出说明该技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。In recent years,one-dimensional nano-structures：nanotubes,nanowires,nanobelts,etc,have arou- sed widespread concern.How to prepare high-quality nano-structures remains a great challenge.This arti- cle goes to the end with emphasizing that dry etching technique will be diversified and just unfolding.

关 键 词：一维纳米结构 纳米线 尺寸 干法刻蚀技术 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]