干法刻蚀技术

作品数：12被引量：20H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王跃林杨富华刘延祥杨辉戴隆贵更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学上海蓝光科技有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关期刊：《微电子技术》《微细加工技术》《西安电子科技大学学报》《名城绘》更多>>
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GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述被引量：1
《红外》2023年第2期24-34,共11页范昊轩 张文博 李沐泽 郝永芹 
国家自然科学基金项目(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200401073GX)。
GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、...
关键词：GAAS 垂直腔面发射激光器 干法刻蚀 选择性刻蚀 刻蚀损伤 
干法刻蚀技术
《名城绘》2017年第11期28-29,共2页翟云华 
随着TFT-LCD技术的不断革新以及人们对终端产品,如电视、手机、笔记本、掌上电脑、车载等品质的要求越来越高,不断的追求高分辨率、高像素等,在实现以上高品质的过程中,因干法刻蚀良好的高精细加工能力以及较强的制程控制能力,使得干法...
关键词：TFT-LCD 干法刻蚀 PLASMA 
半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究
《电子质量》2014年第1期20-21,共2页郭栋 邹继军 邹坤 
近年来,一维纳米结构:纳米管、纳米线、纳米带等,引起了人们的广泛关注。如何制备高质量的纳米结构依然是我们面临的巨大挑战。该文通过干法刻蚀技术制备的纳米线阵列来突出说明该技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。
关键词：一维纳米结构 纳米线 尺寸 干法刻蚀技术 
基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺(英文)被引量：1
《纳米技术与精密工程》2011年第1期78-82,共5页杨振川 吕佳楠 闫桂珍 陈敬 
国家自然科学基金资助项目(60706028)
氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放...
关键词：干法刻蚀 氮化镓(GaN) MEMS 
纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
《微纳电子技术》2010年第1期56-59,共4页王定理 周宁 王磊 刘文 徐智谋 石兢 
国家863资助项目(2009AA03Z418)
分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长...
关键词：纳米压印 半导体激光器 分布反馈光栅 相移型光栅 干法刻蚀技术 湿法腐蚀 
MEMS器件制造工艺中的高深宽比硅干法刻蚀技术被引量：11
《微纳电子技术》2004年第6期30-34,共5页温梁 汪家友 刘道广 杨银堂 
硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各...
关键词：MEMS 高深宽比 沟槽 刻蚀 等离子体 
氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术被引量：1
《中国有色金属学报》2004年第F01期381-385,共5页罗毅 邵嘉平 郭文平 韩彦军 胡卉 薛松 孙长征 郝智彪 
国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601);国家"八六三"计划资助项目(2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金资助项目(60244001)
通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(M...
关键词：氮化镓 发光二极管 外延生长 干法刻蚀 HB-LED MOVPE 
碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术被引量：4
《西安电子科技大学学报》1998年第5期659-663,共5页柴常春 杨银堂 朱作云 李跃进 
国家自然科学基金
简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中，对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．
关键词：碳化硅 干法刻蚀 制造工艺 
电子束制版中的干法刻蚀技术
《山东工业大学学报》1998年第3期217-221,共5页李昭俊 成荣 
介绍一种新型的半导体刻蚀方法，这种干法刻蚀采用电子束微细加工进行试验和研究，从而体现出它的优越性和发展前景．
关键词：电子束 制版 半导体 干法刻蚀 等离子刻蚀 
1.5—2μmMOS干法刻蚀技术
《微电子技术》1993年第2期13-21,47,共10页李祥 吕军 
关键词：集成电路 干法刻蚀 MOS 刻馈 
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