MEMS器件制造工艺中的高深宽比硅干法刻蚀技术  

Dry etching technique for silicon of high aspect ratio in MEMS device fabrication

作　　者：温梁[1] 汪家友[1] 刘道广[2] 杨银堂[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所重点实验室,重庆400060

出　　处：《微纳电子技术》2004年第6期30-34,共5页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求。本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高深宽比的刻蚀方法并进行了比较,总结了各自的优缺点及适用范围。High aspect ratio of microstructuring is one of the key processes in the MEMS field. The ability of flexible pattern transfer into silicon with vertical sidewalls and high accuracy is a crucial requirement in nowadays advanced MEMS device. The methods for Si etching of high aspect ratio using Cl2 and F-based gases and compared the differences between Cl2 and F-based dry etching are introduced.

关 键 词：MEMS 高深宽比 沟槽 刻蚀 等离子体 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]