邵嘉平

作品数：6被引量：52H指数：3
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：氮化镓GAN发光二极管半导体照明GAN材料更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>
发文期刊：《中国有色金属学报》《新材料产业》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4
《物理学报》2005年第8期3905-3909,共5页邵嘉平 胡卉 郭文平 汪莱 罗毅 孙长征 郝智彪 
国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助的课题.~~
研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光...
关键词：In组分 多量子阱材料 GAN 荧光谱 发光二极管 注入条件 内建电场 双峰现象 电致荧光 复合机理 MQWs 有源区 电流 反常 
MOCVD生长GaN材料的模拟被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第4期735-739,共5页郭文平 邵嘉平 罗毅 孙长征 郝智彪 韩彦军 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313130;2001AA312190);国家重点基础研究发展计划(批准号:TG2000036601);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~
基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理...
关键词：GAN MOCVD 计算流体力学 模拟 局域Ⅴ/Ⅲ比 
半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略被引量：3
《新材料产业》2004年第6期34-40,共7页罗毅 邵嘉平 孙长征 
GaN基高亮度及功率型LED的各项关键技术方面存在着先行者拥有明显的先发优势,而后来者进入壁垒较大的客观现实。一些跨国公司掌握了一系列原创性的专利,引领着技术发展的潮流,并占有绝大多数的市场份额。但另一方面,本领域内的技术路线...
关键词：发光二极管 半导体照明 LED 氮化镓 固态光源 
GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1496-1499,共4页邵嘉平 郭文平 胡卉 郝智彪 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 44 0 0 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 12 190 ;2 0 0 1AA3 13 13 0 );国家重点基础研究发展规划(批准号 :TG2 0 0 0 0 3 660 1)资助项目~~
分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,...
关键词：GAN LED材料 蓝带发光 
氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术被引量：1
《中国有色金属学报》2004年第F01期381-385,共5页罗毅 邵嘉平 郭文平 韩彦军 胡卉 薛松 孙长征 郝智彪 
国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601);国家"八六三"计划资助项目(2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金资助项目(60244001)
通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(M...
关键词：氮化镓 发光二极管 外延生长 干法刻蚀 HB-LED MOVPE 
GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究被引量：40
《物理学报》2004年第8期2720-2723,共4页罗毅 郭文平 邵嘉平 胡卉 韩彦军 薛松 汪莱 孙长征 郝智彪 
国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 13 13 0 ;2 0 0 1AA3 12 190 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :TG2 0 0 0 0 3 660 1);国家自然科学基金 (批准号 :60 2 44 0 0 1;60 2 90 0 84)资助的课题~~
尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量 ,获得...
关键词：氮化镓 蓝光发光二极管 波长稳定性 注入电流 发光波长 
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