半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略  

作　　者：罗毅[1] 邵嘉平[1] 孙长征[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室

出　　处：《新材料产业》2004年第6期34-40,共7页Advanced Materials Industry

摘　　要：GaN基高亮度及功率型LED的各项关键技术方面存在着先行者拥有明显的先发优势,而后来者进入壁垒较大的客观现实。一些跨国公司掌握了一系列原创性的专利,引领着技术发展的潮流,并占有绝大多数的市场份额。但另一方面,本领域内的技术路线分布层面广、基本物理机制尚不清晰,各项关键技术的内容属于“know-how”的成分较多,给我们留下了足够的创新空间。目前就全球产业界而言,GaN管芯器件的可靠性与稳定性指标尚亟待提高。全球研发人员都在齐步努力中。这都是我们作为后发者大有可为之处的突破领域。

关 键 词：发光二极管 半导体照明 LED 氮化镓 固态光源 

分 类 号：F416.6[经济管理—产业经济]