高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究  

Study on electroluminescence spectra of In_xGa_(1-x)N/GaN-MQWs materials with high indium contents

作　　者：邵嘉平[1] 胡卉[1] 郭文平[1] 汪莱[1] 罗毅[1] 孙长征[1] 郝智彪[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《物理学报》2005年第8期3905-3909,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601);国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助的课题.~~

摘　　要：研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.In this work, the abnormal double-peak in the electroluminescence spectra of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells (MQWs) light emitting diode structure materials with high indium contents was studied under different injection currents. The results show that the screening of internal electric field by injection current plays an important role in the radiation recombination process of InxGa1-xN/GaN-MQWs materials.

关 键 词：In组分 多量子阱材料 GAN 荧光谱 发光二极管 注入条件 内建电场 双峰现象 电致荧光 复合机理 MQWs 有源区 电流 反常 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]