MOCVD生长GaN材料的模拟  

MOCVD Process Simulation of GaN

作　　者：郭文平[1] 邵嘉平[1] 罗毅[1] 孙长征[1] 郝智彪[1] 韩彦军[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期735-739,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313130;2001AA312190);国家重点基础研究发展计划(批准号:TG2000036601);国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目~~

摘　　要：基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实验结果吻合程度相当高,表明化学反应机理和计算方法是非常可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料的MOCVD生长工艺.研究并讨论了GaN的MOCVD生长中输入Ⅴ/Ⅲ比、进气口双束流上下比、总流量、反应室压力等工艺条件对局域Ⅴ/Ⅲ比的影响.Flow patterns,spatial distribution of temperature and chemical species,and growth rates during growth processes of GaN in planetary metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor are simulated three-dimensionally based on computational fluid dynamics theory.The simulated results agree well with experimental data.Then,the effects of input Ⅴ/Ⅲ ratio,total flow rate,up-to-low ratio of two-flow at the gas inlets,and reactor pressure on local Ⅴ/Ⅲ ratio are studied in MOCVD processes of GaN.

关 键 词：GAN MOCVD 计算流体力学 模拟 局域Ⅴ/Ⅲ比 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]