基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺(英文)  

Fabrication of GaN-Based MEMS Structures Using Dry-Etch Technique

作　　者：杨振川[1,2] 吕佳楠[1,2] 闫桂珍[1,2] 陈敬[3] 

机构地区：[1]北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京100871 [2]北京大学微电子学研究院,北京100871 [3]香港科技大学电子与计算机工程系

出　　处：《纳米技术与精密工程》2011年第1期78-82,共5页Nanotechnology and Precision Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60706028)

摘　　要：氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放技术是工艺研究的重点.设计、采用了一种全干法刻蚀技术,实现了(111)晶向硅衬底上的氮化镓基MEMS微结构的加工制造.利用提出的工艺方案,实现了多种悬浮GaN微结构的加工与测试表征实验.通过电子扫描显微镜(SEM)和光学轮廓仪进行了基本形貌表征;利用微拉曼光谱实验进行了加工结构的残余应力表征.Besides the success in optoelectronic devices and high frequency power transistors,gallium nitride（GaN） is drawing intensive attentions for its application in MEMS devices recently,owing to the material＇s superior mechanical,thermal and chemical stability and bio-compatibility.The effective means to pattern and release the GaN-based MEMS structures are of particular technological importance.In this paper,GaN-based MEMS microstructures were obtained on the（111） silicon substrate using a dry-etch-only fabrication technique.Various suspended GaN microstructures were fabricated by the proposed fabrication process and characterized through scanning electron microscope（SEM） and optical micro-profiler.To characterize the residual stress distribution of the fabricated microstructures,micro-Raman spectroscopy was employed.

关 键 词：干法刻蚀 氮化镓(GaN) MEMS 

分 类 号：TP211.4[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]