Ga_2O_3紫外光探测器的研究进展  

Research Progress of Ga_2O_3 UV Photodetectors

作　　者：何彬[1,2] 邢杰[1] 段艳廷 赵登[3] 张瑞萍[3] 

机构地区：[1]中国地质大学(北京)数理学院,北京100083 [2]中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院,北京100083 [3]中国地质大学(北京)信息工程学院,北京100083

出　　处：《材料导报（纳米与新材料专辑）》2013年第2期157-163,共7页

基　　金：国家自然科学基金(11104255);中央高校基本科研业务费(2011YXL060);中国地质大学(北京)大学生A类创新实验项目(2012AG0075)

摘　　要：介绍了紫外光探测器的发展背景、基本工作原理,并从光导型和光伏型探测器两个方面综述了近10年来Ga2O3基探测器的研究现状。重点介绍了材料制备、掺杂等工艺参数对其紫外光探测性能的影响以及存在的问题,并对以后的研究工作进行了展望。Research background,basic working principle of the ultraviolet detector are introduced,and progress of Ga2O3 photoconductive and photovoltaic detectors developed in the last ten years are reviewed.More attention are concerned on the influence of material preparation,doping and detector configuration on their detecting abilities and the existing problems are discussed.Finally,some suggestions about the future work are proposed.

关 键 词：紫外光探测器 光导 光伏 GA2O3 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]