金属氧化物气敏薄膜的厚度效应(Ⅱ)——扩散反应理论和气敏晶体的介观效应  

Thickness effect of gas sensing film of metal oxide(Ⅱ)-Meson effect of gas sensing crystal and reaction theory of diffusion

作　　者：刘文利[1] 李宇兵[1] 李蕾[1] 高建华 裘南畹 

机构地区：[1]山东大学数理系,山东济南250061

出　　处：《郑州轻工业学院学报》2000年第4期43-45,共3页Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry（Natural Science）

摘　　要：通过对扩散反应方程的求解和无量纲分析给出了响应时间和恢复时间随膜厚、气体 浓度变化的关系式．由于气敏晶体尺寸r0→0时不能满足热力学极限，于是对Fermi 统计公式提出了修正，并由此推出了最佳晶粒尺寸r0*的计算公式，推导出了电导激活 能随膜厚变化的曲线．The relationship between response time, recovery time and film thickness, gas concentration is given from the solution of diffusion reaction equation and the analyzing of nondimensional equation. Thermodynamical limitation not yet s atisfied because of the size of gas sensing crystal r0→0，the formula of Fermi statistic is revised, from which the optimum grain size r０* is d erived and the curve of conductance activivation energy versus film thickness is given.

关 键 词：扩散反应方程 晶体 晶粒尺寸 金属氧化物 介观效应 Fermi统计 

分 类 号：TN389[电子电信—物理电子学]