低能团簇负离子束研究  

Study of Negative Cluster Ion Implantation Technology

作　　者：张瑞[1] 张早娣[1] 王泽松[1] 王世旭[1] 付德君[1] 

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072

出　　处：《武汉大学学报（理学版）》2014年第1期87-90,共4页Journal of Wuhan University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金项目(11105100);教育部中央院校自主科研基金项目资助

摘　　要：本文采用在武汉大学1.7MV串列加速器上的铯溅射负离子源(SNICS)产生碳团簇离子束,然后将离子注入到镍膜中,在样品表面成功制备了少数层石墨烯,用拉曼光谱进行了表征.We have generated the carbon cluster ions using the source of negative ions by cesium sputtering （SNICS） at 1.7 MV double accelerator in Wuhan University. We obtained successfully few-layer graphene on the Ni films followed by implanting into the Ni films by carbon cluster ions. The structure of the samples was characterized by Raman spectroscopy.

关 键 词：加速器 离子注入 碳团簇 负离子 石墨烯 

分 类 号：O632[理学—高分子化学] TP43[理学—化学]