新型宽带隙半导体材料获进展 促进深紫外光子学发展  

出　　处：《中国科技信息》2014年第3期10-10,共1页China Science and Technology Information

摘　　要：厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的”秘诀“在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下的在线开放刊物《科学报道》上。

关 键 词：宽带隙半导体材料 光子学 深紫外 自主研发 结构质量 相互转化 激光器件 《自然》 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]