Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统  

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作  者:张维敬[1] 李长荣[1] 

机构地区:[1]北京科技大学,北京100083

出  处:《材料导报》2001年第2期3-4,共2页Materials Reports

摘  要:本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和相平衡数据进行自洽性评估,而后取得体系中各相的热力学参数。②入库的数据与国际接轨,特别是与国际上热力学数据专门委员会——欧洲热化学学科组(SGTE)的数据相一致,有利于今后的发展和相互之间的交流;③数据库具有允许扩充。

关 键 词:Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体 热力学数据库 外延生长工艺 设计 

分 类 号:TN304.23[电子电信—物理电子学] TP311.13[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]

 

参考文献:

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引证文献:

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