张维敬

作品数：23被引量：19H指数：2
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供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：相图相平衡热力学热力学分析三元系更多>>
发文领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《人工晶体学报》《科学通报》《材料导报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
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高温高压下人造金刚石过程的热力学分析—相平衡信息及其应用被引量：1
《人工晶体学报》2015年第10期2658-2663,共6页李长荣 杜振民 徐骏 李静波 苏旭平 张维敬 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031601)
借助Fe-C二元系在5.7 GPa高压下等压相图提供的有关相平衡信息,以及石墨相Gra.和液相Liq.之间的介稳平衡信息,主要对以Fe作溶剂,以石墨为碳源,在高温高压下获得人造金刚石的主要工艺进行了热力学分析。分析结果显示：在Dia.＋Liq.两相...
关键词：金刚石 相平衡 高温高压 三相定态反应链 Fe-Ni-C体系 
Ag-Ti二元系在980,1100和1200℃下的相平衡测量
《金属学报》2005年第7期691-694,共4页傅晓亮 李长荣 李梅 张维敬 
国家自然科学基金项目50371008国家教委博士点基金项目20030008016资助
使用纯Ti粉和纯Ag块压制紧密接触的Ag-Ti二元扩散偶,在980,1100和1200℃下分别进行退火处理.通过金相观察和电子探针微区分析,对退火处理后的试样进行相分析和成分测定,从而获得了相应温度下的Ag-Ti二元体系的相平衡关系和共轭平衡成分...
关键词：平衡测量 二元系 电子探针微区分析 退火处理 相平衡关系 紧密接触 金相观察 成分测定 二元体系 文献报道 扩散偶 相分析 中间相 
NH_3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响
《稀有金属》2002年第4期241-244,共4页李长荣 卢琳 杜振民 张维敬 
国家863计划(7150100032 );国家自然科学基金资助项目 (5 0 0 710 0 8)
研究了以三甲基镓 (TMGa)和氨 (NH3 )为气源物质 ,以氢气 (H2 )为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延 (MOVPE)生长时 ,NH3 分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明 :随着NH3分解率的提高 ,用于生长GaN外...
关键词：热力学分析 氮化镓 MOVPE 
NH_3,PH_3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响
《北京科技大学学报》2002年第2期165-168,共4页李长荣 卢琳 王福明 张维敬 
国家"863"计划项目资助课题(No.715-010-0032)
以ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的金属有机物气相外延生长（ＭＯＶＰＥ）为例分析了Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响．根据外延生长过程中ＮＨ３和ＰＨ３实际分解状况，建立了气源物质...
关键词：NH3 PH3 热分解 Ⅲ-Ⅴ族半导体 MOVPE外延生长 
Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
《材料导报》2001年第2期3-4,共2页张维敬 李长荣 
本项目以Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景,建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库。该库具有以下特点:①库中的数据都是根据严格的热力学关系,通过对体系中各种热力学性质和...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族合金化合物半导体 热力学数据库 外延生长工艺 设计 
大面积金刚石膜生长环境气氛的计算机模拟
《北京科技大学学报》2000年第2期156-159,共4页黄天斌 唐伟忠 吕反修 张维敬 
国家"863"高科技资助!71-002-Z030
建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子 体中的化学环境进行了模拟计算，并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比，发现计 算结果与实验结果基本上吻合．在模拟条件下ＣＨ基团可能是促使...
关键词：大面积金刚石膜 生长 气氛 CVD 计算机模拟 
相图计算技术在复相陶瓷燃烧合成热力学分析中的应用被引量：2
《稀有金属》2000年第1期37-41,共5页刘永合 殷声 张维敬 赖和怡 
应用相图计算技术（ＣＡＬＰＨＡＤ） 对燃烧合成复相陶瓷的绝热燃烧温度， 平衡相组成等进行了热力学分析。讨论了铝热型自蔓延高温合成反应中副产物相的成因及可能的消除途径。根据稀释剂对绝热温度的影响方式提出了稀释作用的两种模...
关键词：相图计算技术 燃烧合成 复相陶瓷 热力学分析 
(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析
《稀有金属》1999年第3期209-213,共5页李长荣 王冈 李静波 张维敬 
国家"863"计划重点项目
运用相平衡分析的方法，对（Ｇａ，Ｉｎ）Ａｓ半导体ＭＯＶＰＥ生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析，得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律，同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析。
关键词：半导体 热分解 碳污染 MOVPE 砷化镓 砷化铟 
In-As-Sb-C-H五元系热力学分析与In(As,Sb)MOVPE工艺设计
《稀有金属》1998年第3期216-218,共3页李静波 张维敬 李长荣 杜振民 
本文模拟ＭＯＶＰＥ工艺设定热力学条件，建立了涉及５个相和５４个气相物种的ＩｎＡｓＳｂＣＨ五元系热力学系统。采用先进的热力学计算方法，对该系统进行了热力学分析。计算结果与实验结果比较发现，热力学计算能较好地预测...
关键词：热力学分析 MOVPE 铟 锑 砷 
Ga-In-As-Sb合金半导体MOCVD外延工艺设计的热力学分析被引量：1
《金属热处理学报》1997年第3期89-94,共6页张维敬 杜振民 李长荣 刘国权 
国家863高技术研究发展计划资助
用亚点阵模型和络合物模型描述ⅢⅤ族半导体ＭＯＣＶＤ生长过程中涉及的凝聚相及气相的热力学性质，以系统最小自由焓为相平衡判据；用ＣＡＬＰＨＡＤ技术，计算了包括复杂化学反应的多元复相体系的相图和有关相平衡信息；对多元化合...
关键词：半导体 化学气相沉积 热力学 
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