C波段GaN HEMT功率放大器设计  

Design of C-band GaN HEMT Power Amplifier

作　　者：程知群[1] 李成龙[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2013年第6期21-24,共4页Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目(Z1110937)

摘　　要：该文介绍了一款应用于3 8 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路,并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配,通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计,完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿真过程,仿真结果表明在频率3 8 GHz范围内增益(8.5±1)dB,1 dB压缩点输出功率为48 dBm最大饱和功率为49.5 dBm。This paper describes the design of 3-8 GHz super broadband and high power microwave power amplifier .The design uses bonding wires connecting the die and microstrip .The bonding wire connecting portion is simulated by HFSS .Gradual changes microstrip is used to achieve broadband matching in this paper.A high-power broadband amplifier is simulated and designed by co-simulation of ADS and HFSS . Simulation results show P1dB of 48 dBm, Psat of 49.5 dBm and Gain of 8.5 ＆#177;1 dB in the frequency range of 3-8 GHz.

关 键 词：氮化镓高电子迁移率晶体管 宽带 功率放大器 联合仿真 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]