Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响  

The Effect of Rashba Spin-Orbit Coupling on the Spin-Dependent Transportion in NM/FS/I/FS/NM Double Spin-Filter Junction

作　　者：石德政[1,2] 王瑛[1] 代珍兵[1] 谢征微[1] 李玲[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610066 [2]四川农业大学商学院,四川成都611830

出　　处：《四川师范大学学报（自然科学版）》2014年第1期103-107,共5页Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）

基　　金：四川省教育厅自然科学基金重点项目(13ZA0149)资助项目

摘　　要：基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.Based on the transfer matrix method and the quantum coherent transport theory, the relation of Rashba spin-orbit inter- action with the spin-dependent tunneling and the tunneling magnetic resistance （TMR） in double spin-filter magnetic tunneling junction with two ferromagnetic semiconductor （FS） layers （NM/FS/I/FS/NM where NM is nonmagnetic metal, I is insulator layer） are inves- tigated. The results show that the large positive or negative TMR can be obtained by adjusting the corresponding magnitude of Rashba spin-orbit coupling in left and right FS layers. When the thickness of insulator layer is large enough, the stability TMR can be obtained and its value depends on the relative ratio of Rashba spin-orbit coupling strength in two FS layers.

关 键 词：双自旋过滤磁性隧道结 RASHBA自旋轨道耦合 隧穿磁电阻 隧穿电导 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]