日本产综研等试制超低耗电CMOS变换器  

作　　者：杨晓婵(摘译) 

出　　处：《现代材料动态》2014年第2期5-5,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本产业技术综合研宄所纳米电子学研究部和住友化学公司合作，试制了由在低电压下能让大量电流通过的Ge—P型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和InGaAs—n型MOSFET构成的CMOS（互补金属氧化物半导体）变换器，并验证其能正常工作。这一成果有力地推进了超低耗电LSI的研究进展。

关 键 词：CMOS 变换器 低耗电 日本产 金属氧化物半导体场效应晶体管 试制 互补金属氧化物半导体 住友化学公司 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]