用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计  

Design of an SP8T Silicon-on-insulator Antenna Switch for Multi-mode Multi-band RF Front-end

作　　者：陈磊[1] 赵鹏[1] 崔杰[1,2] 康春雷[1] 史佳[1] 牛旭[1] 刘轶[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海高等研究院,上海201210 [2]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第1期65-68,100,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷（SP8T）天线开关设计，该开关采用绝缘体上硅（SOI）I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am，且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧，实测结果表明，该款开关的插入损耗在0～2．4GHz频段内均小于ldB，隔离度平均大于35dB，功率处理能力也达到了36dBm以上，完全满足设计需求。This paper presented a new single-pole-eight-throw（SP8T） antenna switch for multi-mode multi-band cellular RF-front end by adopting the silicon-on-insulator process. With 1 000 Ω. cm resistivity substrate, and careful evaluated device as well as skilfully designed cir- cuit, the tested results of the fabricated switch are 〈1dB insertion loss in 0~2.4 GHz band, 35 dB isolation, and over 36dBm power handling ability, which all meet the design expectations.

关 键 词：绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力 

分 类 号：TN820.83[电子电信—信息与通信工程]