崔杰

作品数：5被引量：12H指数：3
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供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
发文主题：插入损耗开关设计高线性度放大器设计SOI更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
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用于IEEE802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器被引量：3
《半导体技术》2015年第4期255-260,共6页金婕 艾宝丽 史佳 崔杰 
国家自然科学基金资助项目(61201244);上海工程技术大学科研启动项目(E1-0501-14-0168)
基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级...
关键词：射频功率放大器(RF PA) 异质结双极晶体管(HBT) 误差向量幅度(EVM) 无线局域网 负反馈镜像电路 
全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
《固体电子学研究与进展》2014年第4期362-366,共5页崔杰 陈磊 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六...
关键词：绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度 
一种应用于无线局域网802.11a/n的高功率线性功率放大器设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期221-226,302,共7页陈磊 崔杰 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 
提出一种应用于无线局域网802.11a/n的高功率高线性度InGaP/GaAs异质结晶体管功率放大器。通过采用新颖的线性偏置电路和带宽拓展电路,该功放实现了在64正交振幅调制正交频分复用信号输入激励下,误差向量幅度(EVM)在3%时实现超过21dBm...
关键词：功率放大器 高线性度 无线局域网 802 11a N 
用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2014年第1期65-68,100,共5页陈磊 赵鹏 崔杰 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 
提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷（SP8T）天线开关设计，该开关采用绝缘体上硅（SOI）I艺实现。由于衬底电阻率高达1000Ω·am，且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧，实测结果表明，该款开关的插入损耗在0～2...
关键词：绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力 
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