全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计  

Design of a High-performance Monolithic SOI SP16T Antenna Switch Module

作　　者：崔杰[1,2] 陈磊[1] 赵鹏[1] 康春雷[1] 史佳[1] 牛旭[1] 刘轶[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海高等研究院,上海201210 [2]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第4期362-366,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。Taking advantage of the high resistive substrate 180 nm silicon-on-insulator （SOD technology, a high-performance monolithic single-pole sixteen-throw （SP16T） antenna switch module for multi-mode multi-band cellular and wireless handset applications has been designed and fabricated. The switch has been integrated in a 1 kΩ· cm resistivity substrate. With careful device evaluation and circuit design, the overall switch branches exhibit 〈2 dB insertion loss till 2.7 GHz and 〉35 dE isolation, 〈-20 dB return loss and the capability is over 36 dBm, which all meet the design expectation.

关 键 词：绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度 

分 类 号：TN710.2[电子电信—电路与系统] TN820.83