氧气压强对Si基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性的影响  

作　　者：门天宇 邓江峡[1] 郑鹏[1] 郑梁[1] 周继军[1] 秦会斌[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学电子信息学院

出　　处：《电子世界》2014年第2期87-88,共2页Electronics World

基　　金：国家自然科学基金项目(项目编号:No.51302056);浙江省自然科学基金(项目编号:No.LQ12E02001;No.Y107255);浙江省教育厅基金(项目编号:No.Y201017252)的资助

摘　　要：本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、震动样品磁强计(VSM)、铁磁共振仪(FMR)等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现:(1)在0.3Pa和1Pa下制备的YIG薄膜中没有杂相,而在4Pa和16Pa的薄膜中出现了YIP相;(2)薄膜的晶粒尺寸随氧压增大而减小;(3)在1Pa下制备得到的薄膜共振线宽最小,为91Oe;(4)薄膜饱和磁化强度(Ms)随氧压的增加而降低,1Pa下得到的薄膜的Ms为138Oe,最接近理论值。

关 键 词：脉冲机关沉积技术 YIG薄膜 氧气压强 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]