邓江峡

作品数：7被引量：3H指数：1
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供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文主题：YIG带通滤波器磁性半导体波导波传播更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子世界》《电子元件与材料》《集成电路应用》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>
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一种基于UVM的NAND Flash可重用验证IP的实现
《集成电路应用》2024年第9期30-33,共4页宋飞亮 邓江峡 张明明 
阐述基于通用验证方法学自主开发的一款用于ONFI 4.0接口标准的NAND闪存验证IP。通过配置类的方法实现验证IP的灵活可配,结合通用验证方法学中分立的模块化设计方法,使得激励的产生和驱动相分离,实现验证IP的通用性驱动功能。IP中还集...
关键词：集成电路 NAND Flash UVM 验证IP 
PCIE-UART多端口控制器芯片的设计被引量：1
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第1期1-7,共7页邓江峡 陈小明 刘海銮 沈一凡 沈叶江 骆懿 
浙江省级重点研发计划资助项目(2020C01011)。
自主研发了一款PCIE-UART多端口控制器芯片。首先,采用独立的256 Bytes TX/RX FIFO设计了单通道PCIE-UART控制器,实现了硬件流控、软件流控功能,其PCIE接口支持PCIE2.0,UART接口支持RS232/485/422;然后,将8路串口的TX/RX FIFO合并在一起...
关键词：PCIE UART 设备寄存器 多路通讯 
Nd_2O_3掺杂对YIG铁氧体微观结构及磁性能的影响被引量：1
《电子元件与材料》2016年第5期40-43,共4页高建强 邓江峡 郑鹏 郑梁 秦会斌 
采用固相反应烧结法制备了铁氧体材料Y_(3-x)Nd_xFe_5O_(12)(0≤x≤2),研究了不同烧结温度和Nd^(3+)掺杂量对样品微观结构和磁性能的影响。发现在Nd^(3+)掺杂量相同的情况下,样品密度随烧结温度的升高而升高,最终在1340℃接近饱和;晶格...
关键词：YIG铁氧体 烧结温度 微观结构 ND2O3 掺杂量 饱和磁化强度 
退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响
《电子世界》2014年第5期107-108,共2页晏学飞 邓江峡 郑辉 郑梁 秦会斌 
国家自然科学基金项目(No.51302056;No.61376005);浙江省自然科学基金(No.LQ12E02001;No.Y107255);浙江省教育厅基金(No.Y201017252)的资助
本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。
关键词：YIG 薄膜 退火条件 
氧气压强对Si基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性的影响被引量：1
《电子世界》2014年第2期87-88,共2页门天宇 邓江峡 郑鹏 郑梁 周继军 秦会斌 
国家自然科学基金项目(项目编号:No.51302056);浙江省自然科学基金(项目编号:No.LQ12E02001;No.Y107255);浙江省教育厅基金(项目编号:No.Y201017252)的资助
本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、震动样品磁强计(VSM)、铁磁共振仪(FMR)等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现:(1)在0.3Pa和1Pa下...
关键词：脉冲机关沉积技术 YIG薄膜 氧气压强 
基于CSRR的带通滤波器小型化设计
《电子与封装》2011年第4期28-30,38,共4页刘建 郑梁 应智花 武军 邓江峡 柳宁宁 秦会斌 
国家自然科学基金资助项目(60901034);浙江省自然科学基金(Y1101252)
介绍了一种新型的互补开环谐振器(Complementary Split Ring Resonators,CSRR),用此新型谐振器和1/4波长传输线变换器制作了波导带通滤波器。在此基础上为了使滤波器更小型化,设计了挡板结构,改进了滤波器的1/4波长传输线变换器。通过...
关键词：互补开环谐振器 变换器 带通滤波器 
Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期282-284,共3页刘国磊 曹强 邓江峡 邢鹏飞 田玉峰 陈延学 颜世申 梅良模 
山东大学985工程及国家基础研究发展规划(批准号:2001CB610603)资助项目
研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xC...
关键词：ZNO 稀磁半导体 铁磁性 
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