Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性  

Single Crystalline Co-Doped ZnO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy and Room Temperature Ferromagnetism

作　　者：刘国磊[1] 曹强[1] 邓江峡[1] 邢鹏飞[1] 田玉峰[1] 陈延学[1] 颜世申[1] 梅良模[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期282-284,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：山东大学985工程及国家基础研究发展规划(批准号:2001CB610603)资助项目

摘　　要：研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.

关 键 词：ZNO 稀磁半导体 铁磁性 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]