退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响  

作　　者：晏学飞[1] 邓江峡[1] 郑辉[2] 郑梁[1] 秦会斌[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所 [2]杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

出　　处：《电子世界》2014年第5期107-108,共2页Electronics World

基　　金：国家自然科学基金项目(No.51302056;No.61376005);浙江省自然科学基金(No.LQ12E02001;No.Y107255);浙江省教育厅基金(No.Y201017252)的资助

摘　　要：本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。

关 键 词：YIG 薄膜 退火条件 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]