云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 晏学飞

晏学飞: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院新型电子器件与应用研究所更多>>; 发文主题：溅射法制备射频磁控YIG环形器精度控制更多>>; 发文领域：理学电子电信更多>>; 发文期刊：《电子世界》更多>>; 所获基金：浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划国家自然科学基金更多>>

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退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响: 《电子世界》2014年第5期107-108,共2页晏学飞邓江峡郑辉郑梁秦会斌; 国家自然科学基金项目(No.51302056;No.61376005);浙江省自然科学基金(No.LQ12E02001;No.Y107255);浙江省教育厅基金(No.Y201017252)的资助; 本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。; 关键词：YIG 薄膜退火条件