金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展  

A Review of Selenization of Metal Precursors for the Deposition of CIGS Thin Film

作　　者：王影[1] 周爱军[1,2] 戴新义[1] 冯利东 徐晓辉[1] 杜敬芳[1] 李晶泽[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054 [2]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《稀有金属材料与工程》2014年第2期506-512,共7页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(21073029;51102039;51211140045);新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0296);西部之光人才培养计划联合学者项目(LHXZ200902);中国博士后科学基金(20100481375;201104640);中央高校基本科研业务费(103.1.2 E022050205)

摘　　要：系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论,并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。This paper reviewed the recent development of the Cu（In, Ga）Se2 （CIGS） layer in terms structures of the as-deposited metallic precursors, the Se-sources and selenization techniques for the problems and possible solutions of each technique involved were discussed. of the target sources and the layer post-selenization. The advantages,

关 键 词：金属预置层 硒化 CIGS 薄膜太阳电池 光吸收层 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]