王影

作品数：7被引量：18H指数：3
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：低噪声CIGSMOS管MOSFET亚阈值更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《电子元件与材料》《西南民族大学学报（自然科学版）》《电子技术（上海）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”中国博士后科学基金更多>>
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降压型DC-DC转换器的二次斜坡补偿电路设计被引量：3
《微电子学与计算机》2016年第8期82-85,91,共5页陈远龙 张涛 王影 张国俊 
考虑到传统线性斜坡补偿对开关电源系统带载能力和瞬态响应的影响,利用与频率成正比的充放电电流形成一次斜坡电流,再利用其一次特性与双极性晶体管的输入、输出特性实现了一种工作频率可变的,斜坡峰值电流随占空比变化的二次特性的斜...
关键词：一次斜坡补偿 二次斜坡补偿 带负载能力 瞬态响应 
一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计被引量：7
《电子元件与材料》2016年第5期27-30,共4页张涛 陈远龙 王影 曾敬源 张国俊 
分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为...
关键词：基准电压源 全MOSFET 亚阈值 低功耗 低温度系数 线性区 
一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源被引量：2
《电子技术（上海）》2016年第3期80-83,共4页张涛 陈远龙 王影 张国俊 
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃,带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放加入电源抑制比增强...
关键词：带隙基准 高电源抑制比 低噪声 电源抑制比增强级 低通滤波器 
低噪声快速建立的全片内LDO设计被引量：3
《电子元件与材料》2016年第2期35-38,共4页陈远龙 张涛 王影 张国俊 
提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO)。分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化。基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对...
关键词：低压差线性稳压器 低噪声 快速建立 低静态电流 片内滤波器 集成 
溶胶-凝胶前驱体喷雾干燥法制备钠离子电池Na_2Ti_3O_7@MWCNTs负极材料被引量：1
《中国科学：化学》2014年第8期1347-1353,共7页邹崴 王影 黄宗令 李晶泽 
国家自然科学基金(21073029;11234013;51211140045);教育部新世纪人才计划资助项目(NCET-10-0296);中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2012Z003)资助
本文采用溶胶-凝胶前驱体喷雾干燥法制备了Na2Ti3O7@MWCNTs(多壁碳纳米管)复合材料,用于钠离子电池的负极.这种方法得到的Na2Ti3O7球形壳层包裹纳米Na2Ti3O7@MWCNTs复合材料的结构与用固相烧结法、简单溶胶-凝胶法制备的Na2Ti3O7-MWCNT...
关键词：钠离子电池 Na2Ti3O7 碳纳米管 溶胶-凝胶 喷雾干燥 
金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展被引量：1
《稀有金属材料与工程》2014年第2期506-512,共7页王影 周爱军 戴新义 冯利东 徐晓辉 杜敬芳 李晶泽 
国家自然科学基金(21073029;51102039;51211140045);新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0296);西部之光人才培养计划联合学者项目(LHXZ200902);中国博士后科学基金(20100481375;201104640);中央高校基本科研业务费(103.1.2 E022050205)
系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究进展,重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨...
关键词：金属预置层 硒化 CIGS 薄膜太阳电池 光吸收层 
丝网印刷工艺制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜被引量：1
《西南民族大学学报（自然科学版）》2012年第3期431-434,共4页赵林娜 王影 周爱军 李晶泽 高涛 
国家自然科学基金(编号:10774103)
通过球磨CuIn0.75Ga0.25Se2颗粒获得纳米粉末,采用丝网印刷工艺制备CIGS薄膜,研究了硒化温度和不同高温后处理方式对CIGS薄膜表面形貌及晶体结构的影响.结果表明,采用丝网印刷工艺可以制备出均匀致密单一相的CIGS薄膜.硒化的温度越高,...
关键词：丝网印刷工艺 铜铟镓硒 硒化 薄膜 
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