硅应变计的氮化硅钝化新技术  

The new technologies of Si_3N_4 passivation for Si strain gauge

作　　者：钱静波[1] 李丹[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《传感器技术》2000年第6期40-41,共2页Journal of Transducer Technology

摘　　要：介绍一种硅应变计，通过使用同种材料、采用两种不同的工艺技术对比试验，测试结果表明，氮化硅钝化技术制造的产品性能优于常规半导体技术制作的同类产品。A kind of silicon strain gauge is introduced. It's indicated in a contrast test that by using the same materials and different technologies, the performance of products based on using Si3N4 passivation technology are better than that based on conventional semiconductor technology.

关 键 词：硅应变计 氮化硅钝化 半导体 力学量传感器 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN304.24[自动化与计算机技术—控制科学与工程]