掺镧PbWO_4闪烁晶体的缺陷研究  

A STUDY ON La-DOPED PbWO_4 SCINTILLATING CRYSTAL

作　　者：汤学峰[1] 顾牡[1] 童宏勇[1] 梁玲[1] 姚明珍[1] 陈玲燕[1] 廖晶莹[2] 沈炳浮 曲向东[2] 殷之文[2] 徐炜新 王景成 

机构地区：[1]玻耳固体物理研究所,同济大学,上海200092 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 [3]上海金属功能材料重点实验室,上海200940

出　　处：《物理学报》2000年第10期2007-2010,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :197740 43 );上海市教委重点学科发展基金;上海市高等学校科学技术发展基金资助的课题&&

摘　　要：利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La将抑制晶体中的氧空位 ,增加铅空位浓度 .The changes of defects in PbWO\-4 crystal caused by La dopant have been studied by means of positron annihilation lifetime and X\|ray photoelectron spectrum (XPS).The results show that La dopant enhance the concentration of lead vacancy ( V Pb ) which can be described as the positron capture center in PbWO\-4 crystal,and lead vacancy will furthermore introduce low\|valent oxygen center.We discuss the mechanism of La doped in PbWO\-4,and consider that oxygen vacancy is restrained by doping of La,while lead vacancy density is increased by La dopant.

关 键 词：掺镧钨酸铅晶体 缺陷 PAT XPS 

分 类 号：O7[理学—晶体学]