选通式象增强器的新型导电基底  

GATABLE IMAGE INTENSIFIER WITH A NEW TYPE OF CONDUCT ELECTRICITY SUBSTRATE

作　　者：李佳[1] 庞其昌[1] 彭文达[1] 李宏云[2] 阎国安[1] 高春建 

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068 [2]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《光子学报》2000年第9期861-864,共4页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文介绍了采用光刻技术制备的一种新型的导电基底 ,它的面电阻≤ 1 0Ω,透过率约为 89% .在该基底上研制出的选通式象增强器 ,可实现选通时间在 ns级以上的高速选通 ,适用于微光、瞬时多通道高速光谱分析系统和高速摄影系统 .A new type of conduct electricity substrate made by photoetching technology is developed,which resistance is lower than 10Ω and transparency is about 89%.The gatable image intensifier with this substrate can meet the requirement of ns high speed gating,is suitable for shimmer or transient multi channel high speed spectrum analysis system and high speed camera system.

关 键 词：导电基底 光刻 象增强器 选通式 

分 类 号：TN144[电子电信—物理电子学]