重离子辐照SiO_2 的光致发光(英文)  

Photoluminescences of SiO_2 Irradiated by Heavy Ion

作　　者：王志光[1] 金运范[1] 谢二庆[1] 陈晓曦[1] 朱智勇[1] 侯明东[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《原子核物理评论》2000年第3期189-190,共2页Nuclear Physics Review

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(19875069);中国科学院"西部之光"基金资助;中国科学院"九五"基础性研究重点基金资助项目!(KJ952-S1-

摘　　要：基于荷能离子与固体相互作用特点 ,提出了一种新的制备光致发光材料的方法——高能重离子辐照 .用这种方法研究了 Si O2 薄膜的光致发光特性 ,发现高能 84 Kr和 4 0 Ar离子辐照可在注碳Si O2 薄膜样品中产生强的蓝 -紫光发射带 。A novel method, high energy heavy ion irradiation, was proposed to produce light emitting structures. It was used in studying photoluminescence properties from C doped SiO 2 films.

关 键 词：重离子辐照 二氧化硅薄膜 光致发光 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理] O571.33[理学—物理]