超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体  

出　　处：《现代材料动态》2014年第4期17-18,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：据物理学家组织网报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。

关 键 词：半导体材料 绝缘体 拓扑 超高压 可变 物理学家 吉林大学 研究人员 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]